第5期　總第313期

2020年5月

太　陽(yáng)　能

SOLARENERGY

No.5　TotalNo.313

May,2020

文章編號(hào)：1003-0417(2020)05-62-07

單晶硅片制絨后產(chǎn)生白斑的原因分析及改善措施

杜喜霞

*

，

姜　倩

(國(guó)家電投集團(tuán)西安太陽(yáng)能電力有限公司，西安710100)

摘　要：

針對(duì)單晶硅片在制絨后出現(xiàn)的白斑及臟污現(xiàn)象，通過對(duì)異常硅片進(jìn)行絨面測(cè)試、厚度測(cè)試和產(chǎn)線對(duì)

比實(shí)驗(yàn)，排查異常現(xiàn)象產(chǎn)生的原因，并結(jié)合顯微紅外測(cè)試和X射線能譜分析(EDS)測(cè)試對(duì)產(chǎn)生異常的原因

進(jìn)行深入分析。分析結(jié)果表明：硅片制絨后出現(xiàn)白斑現(xiàn)象主要是硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的。進(jìn)刀面出現(xiàn)異常，一

方面是由于硅片清洗液殘留所致，另一方面是由于粘棒膠通過金剛線帶入硅片表面后，后道工序難以清洗造

成的。M2異常硅片進(jìn)刀面有大片灰白狀是有機(jī)硅類物質(zhì)附著、粘膠導(dǎo)致的；M2和157.4mm異常硅片其他

異常區(qū)域有小片亮白、灰白狀，主要是清洗劑中的磷酸鹽、硅酸鹽殘留。

關(guān)鍵詞：

單晶硅片；制絨；白斑；清洗

中圖分類號(hào)

：TM914.4

文獻(xiàn)標(biāo)志碼：

A

0引言

太陽(yáng)電池是光伏組件的核心部件，其質(zhì)量的

穩(wěn)定性和可靠性將直接影響光伏組件的質(zhì)量。制

絨是太陽(yáng)電池生產(chǎn)過程中的首道工序，制絨后硅

片的質(zhì)量是決定能否產(chǎn)出高質(zhì)量電池的基礎(chǔ)和關(guān)

鍵。但在現(xiàn)有生產(chǎn)技術(shù)中，制絨后的硅片經(jīng)常產(chǎn)

生白斑現(xiàn)象[1]，這個(gè)問題困擾著各電池生產(chǎn)廠家。

白斑占比高直接影響了電池生產(chǎn)的節(jié)拍，既降低

了產(chǎn)線的合格率，又增加了生產(chǎn)成本，因此，避

免產(chǎn)生白斑已成為電池生產(chǎn)質(zhì)量管控的重點(diǎn)。本

文主要針對(duì)單晶硅片在制絨后出現(xiàn)白斑及臟污的

現(xiàn)象，通過對(duì)制絨后的異常硅片進(jìn)行絨面測(cè)試、

厚度測(cè)試和產(chǎn)線對(duì)比實(shí)驗(yàn)來(lái)排查異?，F(xiàn)象產(chǎn)生的

原因，結(jié)合顯微紅外測(cè)試和X射線能譜分析(EDS)

測(cè)試對(duì)產(chǎn)生異常的原因進(jìn)行了深入分析，并提出

了改善措施。

用這一原理，將特定晶向的單晶硅片放入堿溶液

中腐蝕，即可在硅片表面產(chǎn)生出許多細(xì)小的“金

字塔”狀外觀，這一過程稱為單晶堿制絨。這一

過程的化學(xué)反應(yīng)方程式為：

Si+2NaOH+H

2

O=Na

2

SiO

3

+2H

2

↑

(1)

通過制絨可以提高硅片的陷光作用，降低反

射，增加對(duì)光的吸收。

2異常現(xiàn)象描述

產(chǎn)線投入157.4mm

×

157.4mm的單晶硅片

(下文簡(jiǎn)稱“157.4mm硅片”)，制絨后的硅片

存在白斑異常，異常硅片的比例占總投入片數(shù)的

0.39%；投入156.75mm

×

156.75mm的單晶硅片

(下文簡(jiǎn)稱“M2硅片”)，制絨后的硅片存在白

斑及臟污異常，異常硅片的比例占總投入片數(shù)的

0.36%。2種單晶硅片的異常圖片及異常數(shù)據(jù)如

表1所示。

從表1的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)可以看出，157.4mm異常

硅片的異常區(qū)域主要分為進(jìn)刀面和兩側(cè)2種；且

異常區(qū)域主要為進(jìn)刀面，異常占比為66.85%。

1單晶硅片制絨原理

單晶硅片在一定濃度的堿溶液中被腐蝕時(shí)是

各向異性的，不同晶向上的腐蝕速率不一樣。利

收稿日期：

2019-08-05

通信作者：

杜喜霞(1981—)，女，碩士、工程師，主要從事太陽(yáng)電池方面的研究。123675218@

62

第

5

期

杜喜霞等：?jiǎn)尉Ч杵平q后產(chǎn)生白斑的原因分析及改善措施

技術(shù)應(yīng)用

表12種單晶硅片的異常圖片及異常數(shù)據(jù)表

Table1Theanomalousimagesanddataofmonocrystallinesiliconwafer

硅片規(guī)格異常類別圖例異常占比/%EL圖像

進(jìn)刀方向66.85

157.4mm

硅片

兩側(cè)方向33.15

進(jìn)刀方向63.29

M2硅片-

兩側(cè)方向36.71

注：兩側(cè)方向是指垂直于硅片刀紋的方向，進(jìn)刀方向是指平行于硅片刀紋的方向

M2異常硅片的異常區(qū)域也分為進(jìn)刀面和兩側(cè)2

種；且異常區(qū)域主要為進(jìn)刀面，異常占比為63.29%。

對(duì)比后可以發(fā)現(xiàn)，2種單晶硅片的異常區(qū)域

均主要表現(xiàn)在進(jìn)刀面，但二者的異常現(xiàn)象略有差

63

異[2]。從外觀來(lái)看，157.4mm異常硅片的異常區(qū)

域及M2異常硅片兩側(cè)的異常區(qū)域的白斑呈小片

的亮白和灰白狀，而M2異常硅片進(jìn)刀面的異常

區(qū)域的白斑呈大片的灰白狀。

技術(shù)應(yīng)用太陽(yáng)能

2020

年

3異常原因排查

針對(duì)上述2種不同規(guī)格的單晶硅片制絨后出

現(xiàn)的異常現(xiàn)象[3]，分別對(duì)異常硅片進(jìn)行了絨面測(cè)

試、厚度測(cè)試和產(chǎn)線對(duì)比實(shí)驗(yàn)，以排查異?，F(xiàn)象

產(chǎn)生的原因。

3.1異常硅片絨面測(cè)試

從單晶硅片的絨面數(shù)據(jù)來(lái)看，幾類異常硅片

未形成“金字塔”狀絨面，異常區(qū)域未發(fā)生腐蝕，

或單晶各項(xiàng)異性腐蝕效果未體現(xiàn)。如果是未發(fā)生

腐蝕，推測(cè)其表面存在不易被酸堿清洗腐蝕的物

質(zhì)；如果是發(fā)生了腐蝕但未形成“金字塔”狀絨

面，則推測(cè)是硅片晶向異?；蛑平q溶液異常[4]。

2種單晶硅片的異常硅片絨面測(cè)試結(jié)果如圖1、

圖2所示，結(jié)果證實(shí)，硅片外觀存在異常。

b.兩側(cè)

圖2157.4mm異常硅片絨面測(cè)試結(jié)果

Fig.2Thetestresultsofanomalous157.4mmtexturing

siliconwafer

3.2異常硅片厚度測(cè)試

對(duì)2種單晶硅片的異常硅片進(jìn)行厚度測(cè)試。

每片異常硅片測(cè)試4個(gè)點(diǎn)，其中，測(cè)試點(diǎn)1為異

常區(qū)域中心點(diǎn)，測(cè)試點(diǎn)2為異常區(qū)域邊緣，測(cè)試

點(diǎn)3為硅片中心點(diǎn)，測(cè)試點(diǎn)4為異常區(qū)域?qū)ΨQ位

置，示例圖如圖3所示；然后分別測(cè)試不同異常

硅片測(cè)試點(diǎn)的厚度，并與正常硅片(生產(chǎn)中未出

現(xiàn)異常的M2硅片)在對(duì)應(yīng)位置的厚度進(jìn)行對(duì)比，

結(jié)果如表2所示。

a.進(jìn)刀面

b.兩側(cè)

圖1M2異常硅片絨面測(cè)試結(jié)果

Fig.1ThetestresultsofanomalousM2texturingsiliconwafer

圖3異常硅片厚度測(cè)試的測(cè)試點(diǎn)分布圖示例

Fig.3Thetestpointdistributionexampleofthicknesstestof

anomaloussiliconwafer

表2各測(cè)試點(diǎn)的厚度測(cè)試結(jié)果

Table2Theresultsofthicknesstestofdifferent

testpoint

硅片類型

M2異常硅片

157.4mm

異常硅片

a.進(jìn)刀面

測(cè)試點(diǎn)1測(cè)試點(diǎn)2測(cè)試點(diǎn)3測(cè)試點(diǎn)4

/

μ

m/

μ

m/

μ

m/

μ

m

177

174

176

172

169

176

172

170

178

171

169

177正常硅片

64

第

5

期

杜喜霞等：?jiǎn)尉Ч杵平q后產(chǎn)生白斑的原因分析及改善措施

技術(shù)應(yīng)用

從測(cè)試結(jié)果來(lái)看，M2異常硅片、157.4

mm異常硅片與正常硅片相應(yīng)測(cè)試位置的厚度

減薄平均相差約5

μ

m。而制絨工序?qū)杵?/p>

減薄，雙面腐蝕厚度一般為8

～

10

μ

m，因此5

μ

m是單面腐蝕厚度，這說明該異常區(qū)域未被腐

蝕，推測(cè)該區(qū)域表面被不易被酸堿清洗腐蝕的

物質(zhì)所覆蓋。

3.3產(chǎn)線對(duì)比實(shí)驗(yàn)

為了判斷單晶硅片制絨后表面的殘留物質(zhì)

究竟是從制絨環(huán)節(jié)引入，還是從硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)

引入，進(jìn)行了4組對(duì)比實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)1選取A廠

家157.4mm硅片，實(shí)驗(yàn)2選取B廠家硅片，

實(shí)驗(yàn)3選取A廠家M2+硅片，實(shí)驗(yàn)4選取A

廠家中心厚度實(shí)驗(yàn)M2硅片，分別投入產(chǎn)線后，

實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表3所示。

表3產(chǎn)線實(shí)驗(yàn)結(jié)果統(tǒng)計(jì)表

Table3Thestatisticaldatainproductionline

源進(jìn)行分析。

4.1顯微紅外測(cè)試

考慮到單晶硅片表面殘留成分僅為微量，選

用檢出限低的顯微紅外設(shè)備，分別對(duì)157.4mm

異常硅片、M2異常硅片、正常硅片的進(jìn)刀面與

兩側(cè)位置進(jìn)行顯微紅外測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)如圖4

～

圖7所示。

100

98

96

94

92

80

60

40

20

80

60

40

20

4000

透

過

率/

%

透

過

率/

%

透

過

率/

%

3000

a.進(jìn)刀面

2000

波數(shù)/cm

-1

1000

序號(hào)

實(shí)驗(yàn)2

實(shí)驗(yàn)3

實(shí)驗(yàn)4

片源

B廠家硅片

A廠家M2+硅片

A廠家中心厚度

實(shí)驗(yàn)M2硅片

數(shù)量/片異常比例/%

吸

光

度

透

過

率/

%

104

102

100

98

96

90

80

70

60

50

40

30

20

10

實(shí)驗(yàn)1A廠家157.4mm硅片56000

200

115200

72000

2.75

0.00

0.00

0.00

從表3的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出，實(shí)驗(yàn)1中A

廠家157.4mm硅片出現(xiàn)了絨面異常，異常比例為

2.75%；而實(shí)驗(yàn)2

～

實(shí)驗(yàn)4的硅片在制絨后均無(wú)異

常。這說明異常硅片并非是由制絨引起的，異常

問題在于單晶硅片本身的生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)。

3.4小結(jié)

根據(jù)制絨后異常硅片的絨面測(cè)試、厚度對(duì)比

絨后出現(xiàn)白斑異常的原因不在于制絨環(huán)節(jié)，而在

于單晶硅片生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)。

測(cè)試及產(chǎn)線對(duì)比實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以判定，單晶硅片制

35

波數(shù)/cm

b.兩側(cè)位置

2000

-1

15001000

圖4157.4mm異常硅片的顯微紅外測(cè)試結(jié)果

Fig.4Themicro-infraredtestresultofanomalous157.4mm

texturingsiliconwafer

0.19

0.18

0.17

0.16

0.15

0.14

0.13

90

80

70

60

50

40

30

20

10

4000

4異常原因分析

根據(jù)異常原因的排查結(jié)果，進(jìn)一步對(duì)產(chǎn)生異

常的原因進(jìn)行分析，對(duì)異常硅片進(jìn)行顯微紅外測(cè)

試，并對(duì)有機(jī)硅、磷酸鹽、硅酸鹽、碳酸鈣的來(lái)

65

透

過

率/

%

吸

光

度

3000

a.進(jìn)刀面

2000

波數(shù)/cm

-1

1000

技術(shù)應(yīng)用

64

62

60

58

56

54

52

50

48

46

90

80

70

60

50

40

30

20

10

4000

太陽(yáng)能

2020

年

雜質(zhì)可能是無(wú)機(jī)硅酸鹽類物質(zhì)。

3)M2異常硅片的進(jìn)刀面：根據(jù)顯微紅外測(cè)

試結(jié)果，對(duì)波峰進(jìn)行數(shù)據(jù)庫(kù)對(duì)比分析，結(jié)果顯示，

雜質(zhì)可能為有機(jī)硅和碳酸鈣。

4)M2異常硅片的兩側(cè)位置：對(duì)波峰進(jìn)行數(shù)

據(jù)庫(kù)對(duì)比分析，顯微紅外測(cè)試結(jié)果顯示，雜質(zhì)可

能是無(wú)機(jī)鹽類，匹配到磷酸二氫鹽、硅酸鹽。

30002000

波數(shù)/cm

-1

b.兩側(cè)位置

1000

透

過

率/

%

吸

光

度

5)正常硅片：無(wú)明顯波峰，因此分析認(rèn)為無(wú)

有機(jī)物質(zhì)。

測(cè)試結(jié)果顯示，M2異常硅片進(jìn)刀面的雜質(zhì)

為有機(jī)硅和碳酸鈣，其他異常區(qū)域的雜質(zhì)為磷酸

鹽、硅酸鹽，對(duì)比正常硅片的測(cè)試結(jié)果后認(rèn)為，

有機(jī)硅、磷酸鹽、硅酸鹽是異常物質(zhì)。因此可以

認(rèn)為，M2異常硅片的進(jìn)刀面呈現(xiàn)大片的灰白狀

物質(zhì)是有機(jī)硅類物質(zhì)附著所導(dǎo)致，其他異常區(qū)域

中小片的亮白、灰白狀物質(zhì)主要是磷酸鹽、硅酸

圖5M2異常硅片的顯微紅外測(cè)試結(jié)果

Fig.5Themicro-infraredtestresultofanomalousM2texturing

siliconwafer

3.0

2.4

k

C

n

t1.8

1.2

0.6

0.0

0.004.008.00

energy/kev

12.00

鹽殘留。

4.2有機(jī)硅和磷酸鹽、硅酸鹽、碳酸鈣的來(lái)源分析

硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)涉及的有機(jī)化學(xué)品主要有粘棒

膠、脫膠劑、切割液和清洗劑，依據(jù)顯微紅外測(cè)

試和EDS測(cè)試結(jié)果對(duì)這些有機(jī)化學(xué)品逐一進(jìn)行

分析。

1)粘棒膠：是一種環(huán)氧樹脂，小分子結(jié)構(gòu)經(jīng)

固化形成高聚物，起到粘合的作用。因?yàn)榍懈顣r(shí)

每一刀都會(huì)切在膠上，膠極有可能粘在金剛線上，

然后在下一刀切割時(shí)會(huì)從硅片進(jìn)刀位置帶入。生

產(chǎn)中反饋的2種異常硅片進(jìn)刀面的異常比例分別

圖6M2異常硅片的進(jìn)刀面測(cè)試數(shù)據(jù)

Fig.6Themicro-infraredtestresultofanomalousM2texturing

siliconwaferliceside

40

35

30

25

20

15

10

45

40

35

30

25

20

15

10

4000

透

過

率/

%

透

過

率/

%

30002000

波數(shù)/cm

-1

1000

為66.85%、63.29%(見表1)，這是引入異常的源

頭之一。顯微紅外測(cè)試和EDS測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，

此處雜質(zhì)中含有碳酸鈣，而生產(chǎn)環(huán)節(jié)中膠棒樹脂

板中含有鈣，這說明有膠的殘留。

2)脫膠劑：脫膠劑是通過化、滲透降低粘

接力，從而起到脫膠效果，作用過程是破壞共聚

物的組織結(jié)構(gòu)，發(fā)生的是物理性能的變化。脫膠

劑是一種有機(jī)酸，后道工序中易被堿去除，在雜

質(zhì)中存在的風(fēng)險(xiǎn)低。

3)切割液：主要作用是冷卻、潤(rùn)滑、清洗、

66

圖7正常硅片的顯微紅外測(cè)試結(jié)果

Fig.7Themicro-infraredtestresultofnormalsiliconwafer

對(duì)圖4

～

圖7的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析，可得出：

1)157.4mm異常硅片的進(jìn)刀面：對(duì)波峰進(jìn)

行數(shù)據(jù)庫(kù)對(duì)比分析，顯微紅外測(cè)試結(jié)果顯示，雜

質(zhì)可能是無(wú)機(jī)磷酸鹽類物質(zhì)，主要匹配到磷酸鹽、

焦磷酸鹽、硅酸鹽等。

2)157.4mm異常硅片的兩側(cè)位置：對(duì)波峰

進(jìn)行數(shù)據(jù)庫(kù)對(duì)比分析，顯微紅外測(cè)試結(jié)果顯示，

第

5

期

杜喜霞等：?jiǎn)尉Ч杵平q后產(chǎn)生白斑的原因分析及改善措施

技術(shù)應(yīng)用

消泡，主要組成是消泡劑和冷卻劑，這2種物質(zhì)

不互溶，可通過增加溶劑來(lái)改善消泡劑和冷卻劑

的互溶性。在放置過程中，切割液容易出現(xiàn)分層，

消泡劑會(huì)漂浮在上層，其中含有較難清洗的硅油，

使用分層后的切割液容易將上層的硅油附著在硅

片表面，且在后續(xù)工序中難以清洗；同時(shí)在運(yùn)輸

過程中，切割液會(huì)受溫度影響，溫度過低會(huì)導(dǎo)致

其因分散性不好而形成絮狀物，附著在硅片表面，

這樣也難以清洗。

測(cè)試結(jié)果顯示，雜質(zhì)中含有有機(jī)硅，但在硅

片生產(chǎn)過程涉及的化學(xué)品中，只有切割液的消泡

劑含有此類物質(zhì)。通過觀察砂漿罐發(fā)現(xiàn)，確實(shí)有

油污漂浮，觀察廢水池也可以發(fā)現(xiàn)有絮狀物漂浮，

咨詢切割液廠家后得知，上述兩處出現(xiàn)的油污和

漂浮物屬于異常現(xiàn)象，該油污和絮狀漂浮物也正

是M2異常硅片進(jìn)刀面的異常區(qū)域的污染來(lái)源。

4)清洗劑：主要成分是活性劑、螯合劑、堿、

添加劑等，主要作用是去除油脂、顆粒粉塵、金

屬離子等。磷有較好的清洗作用，會(huì)作為添加劑

的成分。測(cè)試結(jié)果顯示，雜質(zhì)中含有磷酸鹽、磷

酸二氫鹽、焦磷酸鹽、硅酸鹽，而粘棒膠、切割

液、脫膠劑中均不含磷元素，因此認(rèn)為磷酸鹽的

殘留主要來(lái)源于清洗環(huán)節(jié)中的清洗劑。另外，硅

酸鹽的產(chǎn)生主要在清洗環(huán)節(jié)，硅片表面有信號(hào)檢

出，說明清洗液有殘留。

生產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示，進(jìn)刀面的異常占比高，測(cè)試

顯示有粘棒膠殘留，因此觀察清洗環(huán)節(jié)，發(fā)現(xiàn)進(jìn)

刀面在清洗花籃的最下面，下方的進(jìn)刀面容易夾

液、掛液，從而易造成清洗殘留。

綜上所述，砂漿罐中的油污漂浮、廢水池中

絮狀物漂浮是M2異常硅片進(jìn)刀面的異常區(qū)域的

污染來(lái)源。測(cè)試出的有機(jī)硅信號(hào)是切割液中消泡

劑里的硅油產(chǎn)生的。進(jìn)刀面的異常占比高，一方

面是因?yàn)槟z的殘留，另一方面是因?yàn)檫M(jìn)刀面在清

洗花籃的最下面，容易夾液、掛液，從而易造成

清洗殘留。測(cè)試結(jié)果中顯示有磷酸鹽、磷酸二氫

鹽、焦磷酸鹽、硅酸鹽信號(hào)，這主要是清洗液殘

留；碳酸鈣主要是粘棒膠殘留。

5建議與改善措施

1)在硅片生產(chǎn)過程中，需要檢查切割液是否

有分層，以及其是否存在因分散不好而呈絮狀的

異?，F(xiàn)象。在確認(rèn)目前使用的切割液合格后，檢

圖8砂漿罐設(shè)備

Fig.8Theimageofmortartankequipment

查砂漿罐是否按要求進(jìn)行清洗，并徹底清洗砂漿

罐，以降低對(duì)硅片的污染。

2)進(jìn)刀面的異常占比高，建議優(yōu)化進(jìn)刀面清

洗方法，防止花籃出槽時(shí)夾液、掛液的現(xiàn)象。

3)測(cè)試結(jié)果中發(fā)現(xiàn)磷酸鹽、磷酸二氫鹽、焦

磷酸鹽、硅酸鹽殘留，因此，一方面，需要在進(jìn)

料檢驗(yàn)時(shí)抽測(cè)監(jiān)控清洗劑的成分，確認(rèn)產(chǎn)品質(zhì)量

與出廠報(bào)告的一致性；另一方面，需要把控清洗

劑與切片工藝的匹配性，解決清洗劑殘留問題。

圖9廢水池

Fig.9Theimageofwastewaterpool

67

6結(jié)論

本文針對(duì)單晶硅片在制絨后出現(xiàn)白斑及臟污

技術(shù)應(yīng)用太陽(yáng)能

2020

年

的現(xiàn)象進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)分析，得出以下結(jié)論：

1)異常出現(xiàn)在進(jìn)刀面的占比高，一方面是因

為進(jìn)刀面在清洗花籃的最下面，硅片在出槽時(shí)易

夾液、掛液，易造成清洗殘留；另一方面，粘棒

膠通過金剛線帶入硅片表面，但后續(xù)工序中難以

清洗干凈，從而導(dǎo)致殘留。

2)M2異常硅片進(jìn)刀面的大片灰白狀物質(zhì)是

有機(jī)硅類物質(zhì)附著、粘膠導(dǎo)致，有機(jī)硅的信號(hào)是

切割液中消泡劑里的硅油產(chǎn)生的。砂漿罐中的油

污漂浮、廢水池中絮狀物漂浮是M2異常硅片進(jìn)

刀面中異常區(qū)域的污染來(lái)源。

3)M2異常硅片和157.4mm異常硅片其他異

常區(qū)域的小片亮白、灰白狀物質(zhì)主要是磷酸鹽、

硅酸鹽殘留?？紤]粘棒膠、切割液、脫膠劑中沒

有磷元素，認(rèn)為磷酸鹽的殘留主要來(lái)源于清洗劑。

硅酸鹽的產(chǎn)生主要在清洗環(huán)節(jié)，異常來(lái)源也是清

洗劑有殘留。

[參考文獻(xiàn)]

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浙江大學(xué),2010.

CAUSESANALYSISANDIMPROVEMENTOFWHITESPOTSIN

TEXTURINGOFMONOCRYSTALLINESILICONWAFER

DuXixia

，

JiangQian

(

SPICXi'anSolarPowerCo.，Ltd.，Xi'an710100，China

)

Abstract

：

Thispaperstudiesthecausesofwhitespotsanddirtthatappearinglecrystalsiliconwafersafter

-depthanalysisiscompletedthroughthetexturingtest

，

lysis

showsthattheoccurrenceofwhitespotsonthesiliconwaferaftertexturingismainlycausedbytheproduction

ereisadeviationinthecuttingedgeofthecuttingsiliconwafer

，

itwill

causetheresidualcleaningliquidofthesiliconwafer

，

orthestickystickglueisbroughtintothesurfaceofthe

siliconwaferthroughthediamondwire

，

ge-scale

mall-sizedbrightwhitepatches

andgray-likepatchesaremainlyphosphateorsilicateresiduesinthecleaningagent.

Keywords

：

monocrystallinesiliconwafer

；

texturing

；

whitespot

；

cleaning

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