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        通過材料缺陷控制自旋相關(guān)的太赫茲電子學(xué)的一步

        各種電子和光電設(shè)備中半導(dǎo)體的運(yùn)行速度被限制在幾千兆赫茲(每秒十億次振蕩)。這限制了計算操作速度的上限?,F(xiàn)在,MPSD和孟買印度理工學(xué)院的研究人員已經(jīng)解釋了如何通過使用光波和缺陷固體材料來加快這些過程。

        光波每秒執(zhí)行數(shù)百萬億次振蕩。因此,自然可以設(shè)想采用光振蕩來驅(qū)動電子運(yùn)動。與傳統(tǒng)技術(shù)不同,光波不僅會引發(fā)電子運(yùn)動,而且會在其自然時標(biāo)(即阿秒級)(一阿秒為萬分之一秒)上對其進(jìn)行控制。這具有將設(shè)備和計算的運(yùn)算速度提高幾個數(shù)量級的潛力,并為petahertz電子學(xué)打開了一條道路。

        當(dāng)固體暴露于強(qiáng)烈的超短光下時,會發(fā)出高頻閃光。此過程稱為高次諧波產(chǎn)生(HHG)。入射光的電場振蕩觸發(fā)并控制固體中電子的運(yùn)動,從而設(shè)定固體中的電流。感應(yīng)電流有兩個貢獻(xiàn):一個是由于電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶,另一個是由于電子和空穴在各自能帶中的運(yùn)動。

        在固體中HHG的過程的理論和實驗研究中,通常假定固體沒有缺陷。但是,這種基本假設(shè)在實踐中是不正確的。在真實的固體中,由于缺陷的生長過程而不可避免。它們可以具有不同的形式,例如空位,間隙或雜質(zhì)。目前,關(guān)于缺陷的存在如何改變HHG過程和相關(guān)的電子動力學(xué)知之甚少。請記住,缺陷工程一直是常規(guī)光電技術(shù)的基礎(chǔ),因此,至關(guān)重要的是要了解缺陷在Petahertz電子和自旋電子學(xué)中的作用。

        在最近發(fā)表在npj計算材料上的理論著作中,來自印度孟買的印度理工學(xué)院(IIT)和德國漢堡的馬克斯-普朗克結(jié)構(gòu)與動力學(xué)研究所(MPSD)的研究人員組成的團(tuán)隊,已針對Petahertz電子和自旋電子學(xué)的努力解決了一條重要的信息缺失:在HHG期間,各種缺陷如何影響固體中電子的運(yùn)動?為了解決這個問題,將具有硼或氮原子空位的六方氮化硼(h-BN)的二維單層暴露在強(qiáng)烈的閃光下。

        除去氮或硼原子后,h-BN開始表現(xiàn)為電子的供體或受體。這導(dǎo)致了質(zhì)量上不同的電子結(jié)構(gòu),并且感應(yīng)的空位缺陷變得自旋極化。特別是,研究小組發(fā)現(xiàn),兩個自旋通道受到的影響不同,自旋相反的電子對高諧波發(fā)射的貢獻(xiàn)也不同。而且,與原始固體相比,電子-電子相互作用在缺陷固體中完全不同地表現(xiàn)出來。

        當(dāng)前的工作還預(yù)料到當(dāng)?shù)踊蚺鹪颖惶荚哟?摻雜缺陷)而不是從h-BN完全去除原子時的情況。當(dāng)單個硼原子被單個碳原子取代時,電子動力學(xué)類似于將氮原子從h-BN中完全除去的動力學(xué)。相反,當(dāng)?shù)颖惶荚尤〈鷷r,會出現(xiàn)相反的情況:在此,動力學(xué)類似于硼原子從系統(tǒng)中完全脫離的動力學(xué)。

        這項工作是使用固體缺陷工程實現(xiàn)對光波驅(qū)動的PB旋轉(zhuǎn)自旋電子器件更好地控制的重要一步。

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