雙層膜可以通過利用電子自旋來存儲數(shù)據(jù)

一項(xiàng)新研究顯示，由磁性材料和非磁性絕緣體制成的雙層薄膜具有顯著的存儲數(shù)據(jù)的潛力。

該薄膜可利用電子自旋來存儲數(shù)據(jù)：一種賦予電子角動量和微小磁場的特性。

傳統(tǒng)的硅芯片使用電荷及其移動以二進(jìn)制數(shù)字(0和1)存儲數(shù)據(jù)。與具有負(fù)值和正值的電荷一樣，spin具有上下兩種狀態(tài)，可用于存儲數(shù)據(jù)。

雙層薄膜消除了電荷的移動，因此用它制造的存儲和計(jì)算設(shè)備可以在超低功率下運(yùn)行。

來自美國明尼蘇達(dá)大學(xué)的王建平說：“這項(xiàng)工作具有巨大的實(shí)際應(yīng)用，因?yàn)檫@種薄膜可以在室溫下在硅襯底上生長，采用半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛使用的技術(shù)。”

研究人員，包括沙特阿拉伯國王阿卜杜拉科技大學(xué)的Aurelien Manchon，通過在硅襯底上生長的硒化鉍薄膜上沉積一層磁性材料來制備薄膜。

明尼蘇達(dá)大學(xué)的Mahendra Dangi Chhetri解釋說，這種薄膜將外部施加的電流轉(zhuǎn)換成積聚在磁性和硒化鉍層界面的自旋。旋轉(zhuǎn)然后將其自旋角動量轉(zhuǎn)移到磁層，磁層可以存儲數(shù)據(jù)。

Wang表示，接下來，該團(tuán)隊(duì)計(jì)劃使用磁性材料和非磁性絕緣體的不同組合制造新型薄膜。

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